本報上海4月20日電（記者顏維琦）“在一眨眼的時間內(nèi),，超級閃存已經(jīng)工作10億次，而原來的U盤只能工作1000次,。相當(dāng)于光在走了12厘米的時間里,，幾千個電子已經(jīng)儲存完畢,。”近日,，復(fù)旦大學(xué)周鵬、劉春森團(tuán)隊成功研制“破曉（PoX）”皮秒（1皮秒為1萬億分之一秒）閃存器件,，擦寫速度達(dá)到亞1納秒（400皮秒），是人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲器件,。相關(guān)成果發(fā)表于國際期刊《自然》,。

　　從遠(yuǎn)古時代結(jié)繩記事開始，人類對信息存儲速度的追求從未止步,。隨著科技不斷發(fā)展,，電荷被證明是最佳存儲媒介，能夠以驚人的速度和卓越的可靠性承載海量數(shù)據(jù),，為信息時代的繁榮奠定堅實基礎(chǔ),。然而，隨著人工智能時代到來,，計算范式正從傳統(tǒng)的邏輯運(yùn)算逐漸轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)驅(qū)動,，現(xiàn)有的分級存儲架構(gòu)難以滿足計算芯片對極高算力和能效的需求，亟須存儲技術(shù)的突破來實現(xiàn)變革,。針對AI（人工智能）計算所需的算力與能效要求,，信息存取速度直接決定了算力上限，非易失性存儲技術(shù)成為實現(xiàn)超低功耗的關(guān)鍵,。因此,，破局在于解決集成電路領(lǐng)域最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)科學(xué)問題：信息的非易失存取速度極限。

　　據(jù)了解,，目前速度最快的存儲器均為易失性存儲器,，例如靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）。這類存儲器的速度極限約為3T（即晶體管開關(guān)時間的三倍,，低于1納秒,，1納秒為十億分之一秒），代表了當(dāng)今信息存取速度的最高水平,。然而,，其斷電后數(shù)據(jù)丟失的特性限制了其在低功耗場景下的應(yīng)用。相比之下,，以閃存（Flash）為代表的非易失性存儲器雖然具備極低功耗優(yōu)勢,，但由于其電場輔助編程速度遠(yuǎn)低于晶體管開關(guān)速度，難以滿足AI計算對數(shù)據(jù)極高速存取的需求,。

　　周鵬,、劉春森團(tuán)隊基于器件物理機(jī)制的創(chuàng)新，持續(xù)推進(jìn)高速非易失性閃存技術(shù)的研發(fā),。團(tuán)隊構(gòu)建相關(guān)模型,，據(jù)此研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù),，意味著現(xiàn)有存儲技術(shù)邊界被重新定義,。

　　業(yè)內(nèi)專家分析,，閃存作為性價比最高、應(yīng)用最廣泛的存儲器,，一直是國際科技巨頭技術(shù)布局的基石,。復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù)不僅有望改變?nèi)虼鎯夹g(shù)格局，進(jìn)而推動產(chǎn)業(yè)升級并催生全新應(yīng)用場景,，也將為我國在相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)提供有力支撐,。